个间隙，这是一个很小的不能存在电子的能量范围。给电子注入足够的能量来跨越带隙，并使电子在物质上进行物理迁移，是极具挑战性的一项工作。

    斯金纳和梁富决定研究一种称为拓扑半金属的材料的热电势。拓扑半金属与半导体和绝缘体等大多数其他固体材料不同，这类材料的独特之处在于它们具有零带隙。这是一种能使电子在加热时很容易跃迁到更高能带的能量结构。

    科学家们通常认为拓扑半金属是在实验室中合成的一种较新的材料，但是不会产生很大的热电能量。当拓扑半金属材料在一边受热时，电子就会充满能量，并在另一端积聚。但是当这些带负电的电子跳跃到更高的能带时，它们留下了所谓的“空穴”：正电荷的粒子也堆积在材料的冷边，抵消了电子的作用，导致最终产生的能量很少。

    简单来说就是正负相抵消了，这就很尴尬了。